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MICRON DDR2 內(nèi)存

2021-07-09 17:01:56

MICRON在技術(shù)創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域出現(xiàn)全球現(xiàn)實(shí)，狀況MICRON方案加快了數(shù)據(jù)信息智能化的轉(zhuǎn)換，鼓勵(lì)著全球以解決速率學(xué)習(xí)培訓(xùn)、溝通交流和進(jìn)步。MICRON提供世界上最廣泛的技術(shù)應(yīng)用組合，作為當(dāng)今社會(huì)最重要的突發(fā)性突破的核心理念，如人工智能技術(shù)和自動(dòng)駕駛汽車。

DEI總線映射 IC 簡化了照明總線接口

2021-07-07 16:59:24

DEI? 1030的設(shè)計(jì)目的是改善單位之間的照明總線監(jiān)測。總線電壓轉(zhuǎn)換成為0-5vdc數(shù)據(jù)信號(hào)電平輸出，可用作操縱白熾燈的仿真模擬驅(qū)動(dòng)器或輸入微處理器實(shí)現(xiàn)脈沖寬度調(diào)制。或提供操縱輸入到DEI1090LED驅(qū)動(dòng)器，用LED仿真模擬白熾燈。

TI德州儀器高電壓比較器

2021-07-06 16:56:37

電壓比較器（簡稱為比較器）的功能模塊是相對(duì)比較兩個(gè)電流電壓的大小（輸出電壓的高電平或低電平用作表明兩個(gè)輸入電流電壓的大小關(guān)系）。電壓比較器能夠用在集成化運(yùn)算放大器的組成中，還能夠用專用型的集成化電壓比較器。TI德州儀器高電壓比較器具備0.9V到36V的高壓比較器，響應(yīng)時(shí)間快，性能強(qiáng)。

DATEL SMD 數(shù)模轉(zhuǎn)換器

2021-07-02 17:14:54

DATAEL 提供很多數(shù)模轉(zhuǎn)換器產(chǎn)物作為規(guī)范微電路圖 (SMD) 模子，受國防后勤局 (DLA) 監(jiān)視。DATAL 已成為 SMD 提供商跨越三年。DATAEL 的產(chǎn)物通過國防部產(chǎn)物認(rèn)證決策接續(xù)到達(dá)劃定的機(jī)能、品質(zhì)和可靠性程度。這些 SMD 產(chǎn)物已被證明是滿足行業(yè)非常具搦戰(zhàn)性的使用請求的靠得住辦理計(jì)劃。

IR HiRel晶閘管/二極管模塊

2021-07-01 17:07:02

IR HiRel?為客戶供應(yīng)局限寬泛的包含晶閘管和二極管的電源模塊，電壓局限為 1200 V 至 4400 V，電流為 61 A 至 1070 A。這些模塊接納高可靠壓力觸碰和焊接技術(shù)計(jì)劃和組裝它滿足了成本和機(jī)能優(yōu)化應(yīng)用的特定請求。

HOLT IC線路接收器

2021-06-30 17:08:04

?線路接收器能夠包含：緩沖器，適用于在第一時(shí)間段中接收模擬信號(hào)并按照所接收的模擬信號(hào)向負(fù)載提供輸出數(shù)據(jù)信號(hào)，這其中所述緩沖器包含不少于兩個(gè)晶體管；耦合電路在所述不少于兩個(gè)晶體管的柵極之間的電容元器件，適用于在第一時(shí)間段內(nèi)向型所述不少于兩個(gè)晶體管的柵極提供DC數(shù)據(jù)信號(hào)；及其適用于在第二時(shí)間段內(nèi)將電容器元器件耦合電路到直流參考電壓的電源開關(guān)。

Q-Tech高可靠性空間 TCXO

2021-06-29 17:04:33

Q-Tech?高可靠性空間 TCXO是一種對(duì)晶體振蕩器的晶體頻率和溫度特性進(jìn)行補(bǔ)償以滿足寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定性要求的晶體振蕩器，一般的模擬溫度補(bǔ)償晶體振蕩器采用熱補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，補(bǔ)償后的頻率穩(wěn)定性在10-7≤10-6量級(jí)。由于其良好的啟動(dòng)特性、優(yōu)越的性價(jià)比、低功耗、體積小、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用。

Renesas儀表放大器

2021-06-25 16:42:28

Renesas?儀表放大器(in-amps)和可編程增益儀表放大器(PGIA)中提供了諸多工業(yè)生產(chǎn)、檢測和精確測量、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和醫(yī)療服務(wù)應(yīng)用領(lǐng)域所需要的精密度和高性能。

ADI晶圓核心芯片簡要梳理

2021-06-24 17:15:30

根據(jù)NVIDIA和AMD宣布的技術(shù)路線圖，GPU將于2018年進(jìn)入12 nm/7nm工藝。目前，AI、與采礦機(jī)相關(guān)的FPGA和ASIC芯片也在使用10~28 nm的先進(jìn)工藝。國內(nèi)制造商已經(jīng)出現(xiàn)了寒武紀(jì)、深鑒科技、地平線、比特大陸等優(yōu)秀的集成電路設(shè)計(jì)制造商以實(shí)現(xiàn)突破，而制造主要依靠臺(tái)積電和其他先進(jìn)工藝合同制造商。

MICRON DDR3 SDRAM

2021-06-22 17:11:18

MICRON? DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優(yōu)良的性能指標(biāo)外，MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結(jié)果可能是在消耗相同或更少的系統(tǒng)功率的同時(shí)，具有更高的帶寬。

DEI航空電子設(shè)備電壓浪涌保護(hù)器

2021-06-21 17:06:45

DEI?為28VDC航空電子產(chǎn)品設(shè)備儀器和工業(yè)電源系統(tǒng)總線提供電壓浪涌保護(hù)器。按照RTCADO160，Z類：異常浪涌電壓（DC）技術(shù)水平，它能夠保障機(jī)器設(shè)備免遭電壓浪涌。欠壓鎖定功能模塊確保僅在最低標(biāo)準(zhǔn)安全可靠工作電壓技術(shù)水平下可以使用。

TI德州儀器低功耗比較器

2021-06-18 17:07:17

TI德州儀器?低功耗比較器提供了全系列的低功耗比較器產(chǎn)品，根據(jù)使用低功耗比較器能夠提高電池壽命。

DATEL模數(shù)轉(zhuǎn)換器SMD

2021-06-17 17:04:53

DATAEL?提供諸多模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器企業(yè)產(chǎn)品，用作標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定微電路圖(SMD)模型工具，由國防安全物流局(DLA)監(jiān)督。DATAL已成為SMD供應(yīng)商超過三年。DATAEL企業(yè)產(chǎn)品根據(jù)國防部產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證工程項(xiàng)目繼續(xù)實(shí)現(xiàn)規(guī)定的性能指標(biāo)、質(zhì)量和安全可靠性技術(shù)水平。DATAELSMD企業(yè)產(chǎn)品已被證明是滿足行業(yè)內(nèi)最具挑戰(zhàn)性的技術(shù)應(yīng)用規(guī)定的安全可靠解決方案。

IR HiRel CoolSiC? 肖特基二極管

2021-06-15 16:57:25

IR HiRel?是世界上第一家碳化硅（SiC）分立電源供應(yīng)商。長期性的市場份額和經(jīng)驗(yàn)使IR HiRel能夠提供高度安全可靠和行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC性能指標(biāo)。碳化硅和硅在原材料性能指標(biāo)上的差異性限制了實(shí)際硅單極子二極管（肖特基二極管）的制造，其導(dǎo)通電阻和漏電流高達(dá)100v到150v。在SiC原材料中，肖特基二極管能夠獲取更高的擊穿電壓。IR HiRel的碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合包含600V和650V至1200V肖特基二極管。

HOLT IC ARINC 429 具有并行接口的協(xié)議 IC

2021-06-11 17:11:57

?并行接口指的是選用并行傳輸方式數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)接口。從最簡單的并行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或ASIC芯片，如8255、6820，到更錯(cuò)綜復(fù)雜的SCSI或IDE并行接口，有幾十種。

Q-Tech QPL晶體振蕩器

2021-06-10 17:03:51

Q-Tech? QPL晶體振蕩器是體現(xiàn)晶體或振蕩器能否符合非常性能卓越規(guī)定要求的檢測標(biāo)準(zhǔn)之一。將其運(yùn)用于國防裝備和軍事產(chǎn)品的零部件，以符合這一標(biāo)準(zhǔn)是必不可少的。

Renesas電流檢測放大器

2021-06-09 17:06:33

?Renesas?電子電流量檢測放大器集成了外部結(jié)構(gòu)元器件（即增益設(shè)置電阻器）以簡單化設(shè)計(jì)構(gòu)思并提供模擬電流電壓輸入輸出。

ADI晶圓通信基站：大功率射頻芯片對(duì)美依賴性極高

2021-06-07 17:09:06

通信基站對(duì)國外芯片的依賴程度很高，其中大部分是美國芯片公司。目前，基站系統(tǒng)主要由基帶處理單元（BBU）和射頻遙控單元（RRU）組成。通常，一個(gè)BBU對(duì)應(yīng)多個(gè)RRU。相比之下，RRU芯片國產(chǎn)化程度低，對(duì)外依存度高，主要困難在于RRU芯片涉及大功率射頻場景，通常是GaAs或Gan材料，而中國大陸則缺乏相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。

MICRON DDR4 內(nèi)存

2021-06-04 17:07:48

MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

DEI 浪涌保護(hù)系統(tǒng)組件DEI1604-MIS-G

2021-06-03 17:08:33

DEI產(chǎn)品能夠提供滿足DO160標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的浪涌保護(hù)系統(tǒng)零部件。DEI的所有的ARINC429組件和大部分離散到數(shù)字轉(zhuǎn)換器都具備此保護(hù)功能模塊。