MICRON DDR5 SDRAM
發(fā)布時(shí)間:2020-12-24 16:57:28 瀏覽:2372
CPU核心的數(shù)量正在增加。為了實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心的持續(xù)計(jì)算性能改進(jìn),需要使用MICRON DDR5的性能優(yōu)勢(shì)來(lái)維護(hù)每個(gè)CPU內(nèi)核的可用帶寬。MICRON DDR5及其額外的計(jì)算將有助于從當(dāng)今世界產(chǎn)生的爆炸性數(shù)據(jù)中提取價(jià)值和洞察力。
MICRON DDR5 技術(shù)支持計(jì)劃(TEP)是一項(xiàng)項(xiàng)目,它提供獲取美光技術(shù)的途徑,并提供早期獲取技術(shù)信息和支持、電力和散熱模型以及MICRON DDR5產(chǎn)品的機(jī)會(huì),以幫助設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和推出下一代產(chǎn)品。它還代表計(jì)算平臺(tái),還匯集了其他生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴,幫助MICRON DDR5在市場(chǎng)上隨處推廣和采用。
DDR5 是DRAM開(kāi)發(fā)的下一步,它帶來(lái)了一系列新的功能,旨在提高(RAS)的可靠性、可用性和可使用性。降低功耗,并大大提高性能。

DDR5的一些關(guān)鍵功能如下:
功能/選項(xiàng) | DDR5 | DDR5的優(yōu)勢(shì) |
資料速率 | 3200-6400 MT /秒 | 提高性能和帶寬 |
V DD / V DDQ / V PP | 1.1 / 1.1 / 1.8 | 降低功率 |
內(nèi)部V REF | V REFDQ,V REFCA,V REFCS | 提高電壓裕度,降低BOM成本 |
設(shè)備密度 | 8Gb至64Gb | 支持更大的單片器件 |
預(yù)取 | 16n | 使內(nèi)部?jī)?nèi)核時(shí)鐘保持低電平 |
DQ接收器均衡 | DFE | 改善 |
占空比調(diào)整(DCA) | DQS和DQ | 改善發(fā)送的DQ / DQS引腳上的信令 |
內(nèi)部DQS延遲 | DQS間隔振蕩器 | 增強(qiáng)抵抗環(huán)境變化的能力 |
片上ECC | 128b + 8b SEC,錯(cuò)誤檢查和清理 | 增強(qiáng)片上RAS |
CRC | 讀/寫(xiě) | 通過(guò)保護(hù)讀取的數(shù)據(jù)來(lái)增強(qiáng)系統(tǒng)RAS |
銀行組(BG)/銀行 | 8 BG x 2個(gè)存儲(chǔ)區(qū)(8Gb x4 / x8) | 提高帶寬/性能 |
命令/地址界面 | CA <13:0> | 大大減少了CA引腳數(shù) |
ODT | DQ,DQS,DM,CA總線 | 改善信號(hào)完整性,降低BOM成本 |
突發(fā)長(zhǎng)度 | BL16,BL32 | 僅通過(guò)1個(gè)DIMM子通道允許64B高速緩存行讀取。 |
MIR(“鏡像”引腳) | 是 | 改善DIMM信號(hào) |
總線倒置 | 命令/地址反轉(zhuǎn)(CAI) | 降低模塊上的V DDQ噪聲 |
CA培訓(xùn),CS培訓(xùn) | CA培訓(xùn),CS培訓(xùn) | 改善CA和CS引腳上的時(shí)序裕度 |
編寫(xiě)水準(zhǔn)訓(xùn)練模式 | 已改善 | 補(bǔ)償不匹配的DQ-DQS路徑 |
閱讀訓(xùn)練模式 | 用于串行 | 使讀取時(shí)序裕度更穩(wěn)定 |
模式寄存器 | 最多256 x 8位 | 提供擴(kuò)展空間 |
PRECHARGE命令 | 所有銀行,每家銀行和同一家銀行 | PREsb在每個(gè)BG中啟用預(yù)充電特定的存儲(chǔ)庫(kù) |
刷新命令 | 所有銀行和同一銀行 | REFsb支持刷新每個(gè)BG中的特定存儲(chǔ)體 |
環(huán)回模式 | 是 | 啟用DQ和DQS信令測(cè)試 |
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