Q-Tech適用于極端溫度和井下應(yīng)用的高溫晶體振蕩器
發(fā)布時(shí)間:2021-03-23 16:59:42 瀏覽:2384
Q-Tech公司為井下應(yīng)用領(lǐng)域提供高溫、最優(yōu)秀的混合晶體振蕩器。產(chǎn)品主要包括標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘、實(shí)時(shí)時(shí)鐘和音叉頻率時(shí)鐘。
Q-Tech振蕩器的設(shè)計(jì)構(gòu)思工作溫度范圍從-55°C到+200°C(最高可達(dá)+250°C-請(qǐng)聯(lián)系Q-Tech)。Q-Tech高溫振蕩器設(shè)計(jì)構(gòu)思用作極端化環(huán)境,如井下鉆探、持續(xù)高溫航空電子產(chǎn)品設(shè)備儀器、噴氣式發(fā)動(dòng)機(jī)傳感器、地?zé)崮茉春凸I(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。除去能承受持續(xù)高溫環(huán)境外,Q-Tech振蕩器還能抵抗高沖擊性和振動(dòng)。
所有的Q-Tech產(chǎn)品在高可靠性設(shè)計(jì)、產(chǎn)品質(zhì)量、如期交貨和超一流的客戶(hù)服務(wù)方面都實(shí)現(xiàn)了Q-Tech的高標(biāo)準(zhǔn)。Q-Tech專(zhuān)注于為客戶(hù)提供技術(shù)領(lǐng)先的頻率控制解決方案。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權(quán)代理銷(xiāo)售Q-TECH產(chǎn)品,備用部分現(xiàn)貨,歡迎與業(yè)界同行合作。
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Package | Dimensions (mm) | Market | Device Type | Logic Type | Supply Voltage | Stability |
QTCH230 | 2.50 x 3.20 x 1.15 | High Temp | XO | CMOS | 1.8 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH230 (32K768) | 2.50 x 3.20 x 1.15 | High Temp | XO | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH350 | 3.20 x 5.00 x 1.20 | High Temp | XO | CMOS | 1.8 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH350 (32K768) | 3.20 x 5.00 x 1.20 | High Temp | XO | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH570 | 5.00 x 7.00 x 1.40 | High Temp | XO | CMOS | 1.8 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QTCH570 (32K768) | 5.00 x 7.00 x 1.40 | High Temp | XO | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QT1123L, QS1123L, QG1123L | 22.35 x 12.83 x 5.08 | High Temp | XO - RTC | CMOS | -5.2 to -4.5Vdc & 1.8 to 15Vdc | ±40ppm to ±250ppm |
QT2024 | 12.8 x 12.8 x 5.08 | High Temp | XO - RTC | CMOS | 3.3Vdc | ±40ppm to ±250ppm |
QT380, QT381, QT382, QT383, QT384, QT385, QT386, QT387, QS380, QS381, QS382, QS383, QS384, QS385, QS386, QS387 | 5.0 x 7.0 x 2.54 | High Temp | XO - RTC | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±150ppm to ±250ppm |
QT581, QT582, QT583, QT584, QT588, QT589, QT590, QT592, QS581, QS582, QS583, QS584, QS588, QS589, QS590, QS592 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | High Temp | XO - RTC | CMOS | 2.5 to 3.3Vdc | ±40ppm to ±250ppm |
QT81, QS81 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | High Temp | 5x7 w/ 4pt Mount | CMOS, L | 1.8 to 5Vdc | ±175ppm to ±450ppm |
QT86 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | High Temp | 5x7 w/ 4pt Mount | CMOS, LVH | 1.8 to 5Vdc | ±175ppm to ±450ppm |
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QorIQ T2081是一款基于Power Architecture?技術(shù)的多核通信處理器,搭載4個(gè)雙線(xiàn)程e6500核心、2MB共享二級(jí)緩存及32KB指令/數(shù)據(jù)緩存,支持DDR3/DDR3L內(nèi)存和多種高速接口(如10G以太網(wǎng)、PCIe 3.0、USB 2.0),通過(guò)DPAA架構(gòu)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)包處理加速,具備安全啟動(dòng)和動(dòng)態(tài)電源管理功能,廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、無(wú)線(xiàn)基站及軍事領(lǐng)域。
本文介紹了Rogers公司高頻電路材料中銅箔的類(lèi)型、表面粗糙度及其對(duì)性能的影響。Rogers提供多種銅箔,包括電沉積銅箔、軋制銅箔、電阻銅箔和反轉(zhuǎn)處理銅箔,以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景需求。銅箔表面粗糙度越高,導(dǎo)體損耗越大,影響信號(hào)傳輸效率。Rogers通過(guò)優(yōu)化工藝降低粗糙度,提高高頻電路性能。其高頻材料廣泛應(yīng)用于航空航天、通信等領(lǐng)域,為現(xiàn)代高頻電子技術(shù)發(fā)展提供支持。
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