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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  Solitron Devices 2N2880軍標(biāo)級(jí)NPN功率晶體管 2025-02-25 09:17:16

  2N2880是由Solitron Devices公司生產(chǎn)的NPN型功率晶體管，采用TO-59封裝，具有低導(dǎo)通電阻、低飽和電壓、低漏電流和低驅(qū)動(dòng)需求等特性，符合MIL-PRF-19500/315軍用標(biāo)準(zhǔn)，適用于高可靠性應(yīng)用。其高頻率響應(yīng)、快速切換和高電流增益使其廣泛應(yīng)用于高壓逆變器、開關(guān)電源、高頻轉(zhuǎn)換器和線路驅(qū)動(dòng)放大器等設(shè)備中，提供高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流放大能力。