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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續漏極電流達3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關延遲15-45ns，適用于高頻開關場景。該器件特別適合電源管理、電機驅動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統，兼具高效能和快速響應特性。

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  Arizona Capacitors 18W1-0.0010紙箔管狀電容器 2024-12-05 08:58:21

  Arizona Capacitors 的 18W1-0.0010 電容器是 18 系列的一部分，具有特性“K”，屬于紙與箔型電容器。其額定電壓為 100 VDC，電容量為 0.0010 μF，公差為 ±1%。工作溫度范圍為 -55°C 至 125°C，絕緣電阻為 6 至 18 kΩ-F，損耗因子在 1000 Hz 下小于 1%。該電容器符合 ISO 9001:2015 和 MIL-STD-202 標準，并可提供 RoHS 合規型號。適用于高精度、寬溫度范圍和高可靠性的電子應用，如航空航天和國防領域。可根據需求定制端接類型和套管。