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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。

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  MICRON DDR4 SDRAM 2021-03-01 17:10:53

  MICROND? DR4S DRAM是一種高帶寬電子計算機儲存器標準規范。它隸屬于SDRAM系列儲存器產品，提供比DDR3 SDRAM更強的性能指標和更低的電流電壓，是全新的儲存器標準規范。