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  BF998E6327HTSA1硅N溝道MOSFET射頻放大器Infineon英飛凌 2024-07-01 09:26:24

  BF998E6327HTSA1是英飛凌硅N溝道MOSFET射頻放大器，專為射頻環境設計，適用于放大和切換電子信號。其最大功耗200 mW、工作溫度范圍-55 °C至150 °C、最大頻率1000 MHz,應用領域包括機頂盒、電視和車載收音機。電氣參數包括門輸入電容2.1 pF、輸出電容1.1 pF、正向跨導24 mS、功率增益20 dB @ 800 MHz、最大連續漏電流30 mA、最大漏源電壓12 V、噪聲系數1.80 dB @ 800 MHz、總功耗200 mW。封裝類型為SOT143。

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  SD11803高溫1200V碳化硅肖特基二極管Solitron 2023-12-27 09:47:28

  solitron SD11803是一款 1200V、10A 碳化硅 (SiC) 二極管，采用行業標準 3 引腳 TO-258 密封封裝，適用于軍事和高可靠性項目。SD11803非常適合極端環境應用，工作溫度范圍高達 -55°C 至 200°C。 由于反向恢復幾乎為零和正向壓降低，SD11803具有極低的開關損耗，非常適合尺寸、重量和盡可能高的效率至關重要的航空航天和軍事系統。高導熱性允許開關和熱特性變化很小，使該技術成為惡劣和高溫系統的理想選擇。