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  Ampleon CLP24H4S30P：2.4GHz頻段66%超高效率GaN-SiC功率晶體管 2025-12-29 09:24:47

  Ampleon CLP24H4S30P是一款采用GaN-on-SiC HEMT技術(shù)的30W高效功率晶體管，工作頻段為2.4-2.5GHz ISM頻段，專為連續(xù)波（CW）應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品適用于工業(yè)加熱/干燥系統(tǒng)、商用/家用微波設(shè)備、醫(yī)療治療設(shè)備及科研儀器等領(lǐng)域。

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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開(kāi)關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。