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  VISHAY 564R60GAQ47低壓陶瓷圓盤(pán)電容器2kV-7.5kVDC 2025-05-21 08:53:47

  VISHAY 564R和565R系列陶瓷單層直流圓盤(pán)電容器，電壓范圍2-7.5kVDC，適用于照明鎮(zhèn)流器、開(kāi)關(guān)電源等高壓場(chǎng)景。具有低損耗、高容量小尺寸、高穩(wěn)定性及徑向引腳設(shè)計(jì)等特性，電容范圍10pF-0.1μF，絕緣電阻最高達(dá)200,000MΩ@7.5kVDC。采用鍍銀陶瓷圓盤(pán)和鍍錫銅引腳，提供多種容差（±10%/±20%等）及溫度適應(yīng)性（-25°C至+105°C），介質(zhì)強(qiáng)度最高達(dá)11,250VDC，符合UL 94 V-0阻燃標(biāo)準(zhǔn)。

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  MICRON DDR3 SDRAM 2021-03-17 17:13:30

  MICRON? DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供額外的傳輸速率。除去優(yōu)質(zhì)的性能指標(biāo)，MICRON DDR3有一個(gè)較低的工作頻率范圍。結(jié)果顯示可能是應(yīng)用領(lǐng)域更高的傳輸速率來(lái)執(zhí)行系統(tǒng)，與此同時(shí)消耗相等或更少的系統(tǒng)輸出功率。