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  ADI晶圓各種材料工藝對應輸出功率及頻率 2021-05-21 17:09:32

  ?在電子器件中，射頻和功率應用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導體(射頻前端PA等)，而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導體(汽車電子學等)。

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  IR2104STRPBF柵極驅動器IC Infineon英飛凌 2024-09-23 09:54:33

  IR2104STRPBF是一款600V半橋柵極驅動器IC（可選8引腳SOIC或PDIP封裝），適用于IGBT和MOSFET驅動。它有諸多主要特點，如專為自舉操作設計的浮動通道、能在600V下完全運行、對負瞬態電壓容忍度高、不受dV/dt影響、柵極驅動供電電壓10 - 20V、有欠壓鎖定功能、兼容多種邏輯輸入、防止交叉傳導邏輯、雙通道匹配傳播延遲、內置死區時間、高邊輸出與輸入同相、有關斷輸入可關閉雙通道等。