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  MICRON DDR4 內(nèi)存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別：16位預(yù)取機(jī)制（DDR3為8位），在同樣內(nèi)核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠，數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環(huán)保節(jié)能。

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  18J3-0.450R金屬管狀電容器Arizona Capacitors 2024-06-17 09:18:49

  Arizona Capacitors的金屬管狀電容器18J3-0.450R具有100/200V的電壓等級，電容值高達(dá)1.000μF，工作溫度范圍為-55℃至125℃。它具有高絕緣電阻，符合MIL-STD-202標(biāo)準(zhǔn)，適用于惡劣環(huán)境，并提供多種電壓模型選擇。其機(jī)械構(gòu)造采用紙箔和箔片，具有非感應(yīng)式和擴(kuò)展箔結(jié)構(gòu)，尺寸參數(shù)包括直徑0.172英寸和最大長度1.625英寸，可選絕緣護(hù)套厚度增加選項(xiàng)。此外，該電容器符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可根據(jù)請求提供。