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SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET

發布時間：2024-07-03 09:18:47 瀏覽：942

SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET

　　Solitron Devices SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET的主要特點和技術規格如下：

　　高阻斷電壓與低通態電阻：該MOSFET具有高達1200V的阻斷電壓(Vs = 1200V)，并且具有低通態電阻(Ros(on) = 50 mΩ)，這意味著在開關狀態切換時能夠減小功耗，提高效率。

　　高速開關與低電容：SD11721適合高速開關應用，并且具有低電容特性，這有助于減少開關過程中的能量損失。

　　高操作結溫能力：該MOSFET能夠在高溫環境下工作，其操作結溫范圍達到-55℃至+175℃。

　　快速而健壯的內置體二極管：這是該MOSFET的一個重要特點，能夠快速且有效地處理反向電流。

　　優化的塑料封裝：采用TO-247-4塑料封裝，具有優化的封裝設計和分離的驅動源引腳(4-G)，以及8mm的漏極和源極之間的爬電距離(creepage distance)，確保了在高溫和高濕等惡劣環境下的穩定性和可靠性。

　　應用廣泛：SD11721適用于多種應用，包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電機驅動器、高壓DC/DC轉換器以及開關模式電源等。

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