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vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進制MOS電容芯片

發布時間：2025-03-18 09:14:46 瀏覽：330

　　Vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進制 MOS 電容芯片，每片芯片包含五個不同容量的電容，以二進制增量排列，為用戶提供了多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 先進的薄膜設備和制造技術生產，并經過 100% 電氣測試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標準。

vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進制MOS電容芯片

　　特性

　　可鍵合性：支持線鍵合。

　　用戶容量選擇：芯片上有五個電容，容量以二進制增量排列。

　　芯片尺寸：

　　CBB：0.019" x 0.048"(0402 封裝)

　　CBC：0.044" x 0.044"(0404 封裝)

　　容量范圍：CBB 最高 31 pF，CBC 最高 93 pF。

　　介質材料：二氧化硅(Silicon Dioxide)。

　　低介質損耗。

　　基底材料：半導體硅，背面鍍金。

　　應用場景

　　CBB 和 CBC 二進制 MOS 多值電容芯片設計用于通過常規線鍵合技術添加或減去電容，以調整混合電路。

　　電氣規格

參數	CBB	CBC	單位
總容量	最高 31 pF	最高 93 pF	pF
容量值	1, 2, 4, 8, 16 pF	3, 6, 12, 24, 48 pF	pF
容差	±10%	±10%	%
直流工作電壓	75 V	75 V	V
最大工作電壓	75 V	75 V	V
峰值電壓（+25°C）	1.5 x 工作電壓	1.5 x 工作電壓	V
損耗因數（1 kHz, 1 VRMS, +25°C）	0.10%	0.10%	%
Q 值（1 mHz, 50 mVRMS, +25°C）	最小 1000	最小 1000	-
溫度系數（-55°C 至 +150°C）	+15 ± 25 ppm/°C	+15 ± 25 ppm/°C	ppm/°C
絕緣電阻（工作電壓，+25°C）	最小 10^9 Ω	最小 10^9 Ω	Ω
工作溫度范圍	-55°C 至 +150°C	-55°C 至 +150°C	°C

　　機械規格

參數	CBB	CBC
芯片尺寸	0.019" x 0.048" ± 0.002"（0.48 mm x 1.2 mm ± 0.05 mm）	0.044" x 0.044" ± 0.002"（1.1 mm x 1.1 mm ± 0.05 mm）
芯片厚度	0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm）	0.010" ± 0.002"（0.254 mm ± 0.05 mm）
芯片基底材料	半導體硅	半導體硅
介質材料	二氧化硅（MOS）	二氧化硅（MOS）
鍵合墊	最小 10 k? 鋁（可選金）	最小 10 k? 鋁（可選金）
背面材料	最小 3 k? 金	最小 3 k? 金