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安森美NXH020F120MNF1低熱阻SiC MOSFET功率模塊

發布時間：2025-10-30 09:26:33 瀏覽：136

　　安森美(onsemi)的NXH020F120MNF1是一款 M1 SiC MOSFET 功率模塊，其中包含一個 20 mohm/1200V SiC MOSFET 全橋和一個 F1 模塊中的 NTC 熱敏電阻。NXH020F120MNF1 的推薦柵極電壓為 18V – 20V，具有低熱阻的 4-PACK 全橋拓撲結構，以及帶或不帶預涂層熱界面材料 (TIM) 的選項，支持壓接引腳，是一種無鉛、無鹵化物的器件，符合 RoHS 標準。

　　NXH020F120MNF1 提高了 RDS(開)在更高的電壓下，提高效率或功率密度，是高可靠性熱接口的靈活解決方案，可廣泛應用于太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電動汽車充電站、工業電源、AC-DC轉換、DC-AC轉換、DC-DC轉換。常見的終端產品包括電動汽車充電器、儲能系統(ESS)、三相太陽能逆變器、不間斷電源等。

安森美NXH020F120MNF1 SiC MOSFET功率模塊

　　性能對比：

	SiC（NXH020F120MNF1）	傳統硅基IGBT
耐壓	1200V	600~1200V
導通損耗	超低（20mΩ @25°C）	較高（50~100mΩ）
開關速度	極快（ns級開關）	較慢（μs級開關）
高溫性能	支持175°C結溫	通常限制在150°C
系統效率	更高（>98%）	一般（95~97%）

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品，歡迎咨詢了解。

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