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安森美SiC MOSFET技術(shù)引領(lǐng)高效能源的未來(lái)

發(fā)布時(shí)間：2025-11-05 09:01:05 瀏覽：163

　　為什么選擇SiC?

　　相比傳統(tǒng)硅器件，碳化硅(SiC)具有明顯優(yōu)勢(shì)：

　　耐壓更高(10倍于硅)

　　耐溫更好(3倍于硅)

　　發(fā)熱更低

　　開(kāi)關(guān)更快

安森美SiC MOSFET技術(shù)引領(lǐng)高效能源的未來(lái)

　　安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心優(yōu)勢(shì)

　　安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展現(xiàn)出顯著的技術(shù)亮點(diǎn)：

　　超低導(dǎo)通電阻(RDSon)：大幅降低傳導(dǎo)損耗

　　優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)(Rg=1.81Ω)：實(shí)現(xiàn)更快開(kāi)關(guān)速度

　　無(wú)閾值電壓漂移：長(zhǎng)期穩(wěn)定性優(yōu)于競(jìng)品

　　高dv/dt耐受能力(>100V/ns)：抗干擾性強(qiáng)

　　應(yīng)用案例：在太陽(yáng)能逆變器中，采用SiC MOSFET可降低系統(tǒng)損耗達(dá)30%，效率輕松突破98%。

1200V/900V SiC MOSFET

　　主要應(yīng)用場(chǎng)景

　　1. 太陽(yáng)能逆變器

　　特點(diǎn)：效率更高(>98%)、體積更小

　　趨勢(shì)：

　　小型逆變器：采用SiC分立器件

　　大型逆變器：逐步轉(zhuǎn)向全SiC模塊

　　2. 電動(dòng)車充電

　　快充樁：必須使用SiC

　　充電更快

　　設(shè)備更小

　　發(fā)熱更少

　　典型案例：特斯拉超充已全面采用SiC

安森美SiC MOSFET

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