onsemi NTMFS4D系列功率MOSFET
發布時間:2025-12-08 09:30:26 瀏覽:194
onsemi NTMFS4D系列功率MOSFET

產品特點
高效低阻:導通電阻(RDS(ON))低至 3.5mΩ,減少功率損耗
高電流能力:支持 高達119A 的連續漏極電流
緊湊封裝:采用 DFN5(5mm x 6mm),節省空間
優化散熱:結殼熱阻僅 3.5°C/W,提高可靠性
低柵極電荷(Qg):降低開關損耗,提升效率
軟體二極管恢復:減少電壓尖峰,無需額外緩沖電路
典型應用
? 電機驅動(工業、消費類設備)
? 電池保護(電動汽車、儲能系統)
? 同步整流(DC/DC、AC/DC電源轉換)
? 汽車與工業電源管理
型號示例
| 產品型號 | V(BR)DSS Min (V) | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | Vgs (V) | Vgs(th) Max (V) | ID Max (A) | PD Max (W) | Package Type |
| NTMFS4D0N04XMT1G | 40, | 4, | 20, | 3, | 77, | 44, | SO-8FL / DFN-5 |
| NTMFS4D0N08XT1G | 80, | 3.5, | 20, | 3.6, | 119, | 107, | SO-8FL / DFN-5 |
| NTMFS4D2N10MDT1G | 100, | 4.44, | 20, | 4, | 113, | 2.8, | SO-8FL / DFN-5 |
| NTMFS4D5N08XT1G | 80, | 4.5, | 20, | 3.6, | 94, | 82, | SO-8FL / DFN-5 |
| NTMFS4D7N04XMT1G | 40, | 4.7, | 20, | 3.5, | 66, | 38, | SO-8FL / DFN-5 |
深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品,歡迎咨詢了解。
推薦資訊
Infineon的BAR88-02V硅PIN二極管專為手持設備設計,具有低正向電阻(1 mA時為1.5Ω)、低電容(0.28 pF@1 GHz)、極低信號失真和無鉛RoHS封裝。適用于無線通信(如手機、WLAN)和高速數據網絡(如LTE、5G),技術參數包括0.4 pF電容、單管配置、100 mA最大正向電流、0.6Ω正向電阻、80 V最大反向電壓和500 ns反向恢復時間。因其高速開關和低信號失真特性,符合綠色制造標準。
隨著對晶體振蕩器的需求越來越大,這些晶體振蕩器無需大量功率即可提供穩定性。低功耗OCXO系統(LP-OCXO)使電源可用性有限的應用更容易獲得恒溫控制的性能。 傳統OCXO的電流消耗為 150 – 300 mA。另一方面,TCXO 的電流消耗僅為 2 – 20 mA 左右,但穩定性較差,并且在某些環境中更容易受到環境溫度的影響。而Bliley低功耗 OCXO LP62 在啟動時僅消耗 200 mW,并提供 135 mW 的穩態功耗。
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