Semelab D2002UK射頻功率MOSFET晶體管
發布時間:2026-02-05 09:04:10 瀏覽:86
D2002UK 是 Semelab(現隸屬于 TT Electronics) 推出的一款 N 溝道射頻功率 MOSFET(DMOS),主要用于 射頻功率放大與發射應用,適合中低功率、寬頻段的 RF 設計需求。

主要參數概覽
基本信息
器件類型:射頻功率 MOSFET
極性:N-Channel(增強型)
品牌 / 廠商:Semelab / TT Electronics
型號:D2002UK
封裝形式:DP 陶瓷法蘭封裝
安裝方式:螺釘固定,表貼/法蘭安裝
電氣特性(典型值)
漏極-源極擊穿電壓(VDS):約 65 V
連續漏極電流(ID):約 2 A
最大柵源電壓(VGS):±20 V
柵極閾值電壓(VGS(th)):約 1 – 7 V
射頻輸出功率:約 5 W(連續波 CW)
功率增益:約 13 dB
工作頻率范圍:DC ~ 1 GHz
最大功耗:約 29 W
熱學與機械特性
結到殼熱阻(RθJC):約 6 °C/W
工作溫度:最高可達約 150 °C(殼溫)
典型尺寸:約 18.9 × 6.35 × 5.08 mm
典型應用
D2002UK 廣泛應用于中低功率射頻場景,包括但不限于:
VHF / UHF 射頻功率放大器
無線通信發射模塊
工業射頻設備
測試與儀表類 RF 放大單元
產品特點總結
覆蓋 DC–1GHz 的寬頻工作能力
5W 級射頻輸出功率,適合驅動級或小功率末級
陶瓷法蘭封裝,散熱性能好、可靠性高
適合通信、工業及專業射頻應用
Semelab公司是一家專注于高可靠性半導體器件的制造商,提供功率半導體、RF MOSFET等產品,深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Semelab產品線,歡迎咨詢了解。
推薦資訊
Vanguard Electronics的41416型號是42000系列雙環形功率電感器,專為高可靠性和穩健性應用設計,適用于-55°C至+130°C的工作溫度范圍。應用包括濾波電感器、波紋抑制器、共模扼流圈、隔離變壓器、電源供應器、DC/DC轉換器和SEPIC轉換器。物理規格包括0.01至20 mH的電感范圍,0.035至54 Ohms的直流電阻,0.06至2.36 Amps的電流額定值,尺寸A: 7.11mm,B: 10.41mm,C: 6.6mm,D: 4.06mm,端子直徑0.31mm。適用于軍事、航空航天、醫療設備和工業自動化等嚴格工業環境。
越來越多的應用需要使用高溫晶體,比如工業、井下儀器、轉軸傳感器、地下鉆孔工具等。對于這些應用,Statek提供CX1VHT/CX1HHT, CX4VHT和CX9VHT晶體。這些晶體被設計在高達200攝氏度的溫度下工作,在這些溫度下的預期壽命超過1000小時。CX1VHT和CX1HHT晶體提供的頻率范圍為10 kHz至600 kHz, CX4VHT晶體提供30 kHz至250 kHz, CX9VHT晶體提供32 kHz至160 kHz。
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