- 產品詳情
Infineon英飛凌P 溝道 MOSFET 采用空穴流作為載流子，其遷移率小于 N 溝道 MOSFET 中的電子流。就功能而言，二者的主要區別在于 P 溝道 MOSFET 需要從柵極到源極的負電壓 (VGS) 才能導通，而 N 溝道 MOSFET 則需要正 VGS 電壓。這使得 P 溝道 MOSFET 成為高邊開關的理想之選。器件設計簡潔，有利于在有限空間內打造低壓驅動應用和非隔離 POL 產品。P 溝道 MOSFET 特性的一大優勢在于可簡化柵極驅動技術，這通常可降低整體成本。
英飛凌提供從-12 V到-250 V各種電壓等級的P溝道功率MOSFET。P溝道增強型功率MOSFET為設計者提供了一種新的選擇，可以在優化性能的同時簡化電路設計，有-60 V 、-100 V，以及-200 V和-250 V P溝道MOSFET。P溝道器件的主要優勢是降低了中、低功率應用的設計復雜性。英飛凌的-12 V P溝道MOSFET和-20 V P溝道MOSFET提供了行業標準的表貼功率封裝，而-30 V P溝道MOSFET和-40 V P溝道MOSFET則經過優化，可從分銷商合作伙伴處獲得最廣泛的供應支持。
P溝道功率MOSFET，包括P溝道MOSFET-12V系列，非常適用于電池保護、反極性保護、線性電池充電器、負載開關、DC-DC轉換器和低壓驅動應用。P溝道MOSFET，如P溝道MOSFET-30V系列，通常用于消費電子產品，如筆記本、手提電腦、手機和PDA。
可用的封裝包括D2PAK、DPAK、 DirectFET, IPAK, I2 PAK, PQFN, SOT-223, TO-220, TO-247, SOT-23, TSOP-6, 和SuperSO8等等。瀏覽我們的產品列表，找到高度創新的完整P溝道MOSFET產品清單，包括我們的 OptiMOS?產品系列，電壓范圍涵蓋-12 V至-250 V。
30V單P溝道StrongIRFET?功率MOSFET，采用DirectFET? MX封裝
StrongIRFET?功率MOSFET系列針對低R進行了優化DS(開)和高電流能力。這些器件非常適合需要高性能和耐用性的低頻應用。全面的產品組合適用于廣泛的應用，包括直流電機、電池管理系統、逆變器和 DC-DC 轉換器。
特征描述：
針對分銷合作伙伴提供最廣泛的可用性進行了優化
符合JEDEC標準的產品認證
高額定電流
雙面冷卻能力
封裝高度低：0.7mm
低寄生 (1-2 nH) 電感封裝
100%無鉛(無RoHS豁免)
優勢：
分銷合作伙伴的廣泛可用性
行業標準資質等級
高載流能力
最佳熱性能
緊湊的外形
高效率
環保
應用：
電源管理功能
電機控制車載充電器
直流-直流
消費者
參數：
| Parametrics | IRF9383M |
ID (@25°C) max | -160 A |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Ptot max | 113 W |
Ptot (@ TA=25°C) max | 2.1 W |
Package | DirectFET(M) |
Polarity | P |
QG (typ @4.5V) | 67 nC |
Qgd | 29 nC |
RDS (on) (@4.5V) max | 4.8 m? |
RDS (on) (@10V) max | 2.9 m? |
RthJC max | 1.1 K/W |
Tj max | 150 °C |
VDS max | -30 V |
VGS(th) min max | -1.8 V -1.3 V -2.4 V |
VGS max | 20 V |
