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品牌名稱：IR HiRel
重要參數(shù)：
ID (@25°C) max：20A
ID (@100°C) max:12A
Package:SupIR-SMD
QG：220 nC
RDS (on) (@25°C) max：320 m?
VBRDSS min：500 V
VF max：1.8 V
IRHNS7460SE單N溝道MOSFET是一種抗輻射的單通道、N溝道MOSFET，可承受高達(dá)500V和12A的電流。它采用了SupIR-SMD封裝，并具有單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、超低RDS(on)、總打壓電荷低、簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)要求、輕巧、表面安裝和符合 MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn)方法1020的3B級(jí)ESD等級(jí)等特點(diǎn)。它的TID等級(jí)為100krad，篩選級(jí)別為JANS當(dāng)量(QIRL)。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等潛在應(yīng)用。
| Part Number | Radiation Level | RDS(on） | l |
| IRHNS7460SE | 100 kRads (Si） | 0.322 | 20A |
上一個(gè): RIC7S113A4功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器
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