- 產(chǎn)品詳情
| TYPE | WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE VRWM | MINIMUM BREAKDOWN VOLTAGE VeR @50μA | AVERAGE RECTIFIED CURRENT lo@TA (NOTE 1) | FORWAR D VOLTAGE (MAX) VF@3A | REVERSE CURRENT (MAX.) Ir @VRWM | CAPACITANCE (MAX.) C@VR=12 V f=1 MHz | MAXIMUM sURGE CURRENT FSM (NOTE 2) | REVERSE RECOVERY (MAX) (NOTE 3) t | ||
| VOLTS | VOLTS | AMPS | VOLTS | μA | pF | AMPS | ns | |||
| 50℃ | 100℃ | 25℃ | 100℃ | |||||||
| 1N5615US | 200 | 220 | 1.00 | .750 | .8 MIN. 1.6 MAX | .5 | 25 | 45 | 25 | 150 |
| 1N5617US | 400 | 440 | 1.00 | .750 | .5 | 25 | 35 | 25 | 150 | |
| 1N5619US | 600 | 660 | 1.00 | .750 | .5 | 25 | 25 | 25 | 250 | |
| 1N5621US | 800 | 880 | 1.00 | .750 | .5 | 25 | 20 | 25 | 300 | |
| 1N5623US | 1000 | 1100 | 1.00 | .750 | .5 | 25 | 15 | 25 | 500 | |
產(chǎn)品描述
1N5615US至1N5623US系列：這是一系列快速恢復(fù)表面貼裝整流器，符合MIL-PRF-19500/429軍用標準，適用于高可靠性應(yīng)用，如軍事和其他不允許失敗的應(yīng)用。
封裝：這些器件采用無空洞玻璃封裝，內(nèi)部采用“Category I”冶金鍵合。
工作峰值反向電壓：200至1000伏特。
電流等級：平均整流電流為1.0安培。
特性與應(yīng)用
表面貼裝封裝：等同于JEDEC注冊的1N5615至1N5623系列。
無空洞密封玻璃封裝：提供更好的可靠性和性能。
三重層鈍化：增強器件的穩(wěn)定性和耐用性。
內(nèi)部冶金鍵合：提高器件的可靠性。
工作峰值反向電壓：200至1000伏特。
快速恢復(fù)1安培整流器：適用于200至1000伏特的軍事和高可靠性應(yīng)用。
最大額定值
結(jié)溫與存儲溫度：-65°C至+175°C。
熱阻：13°C/W(結(jié)至端蓋)。
熱阻抗：4.5°C/W(10ms加熱時間)。
平均整流前向電流：1.0安培(TA=55°C)。
前向浪涌電流：30安培(8.3ms半正弦波)。
電氣特性
工作峰值反向電壓(VRWM)：200至1000伏特。
最小擊穿電壓(VBR)：220至1100伏特。
平均整流電流(IO)：1.00安培。
最大前向電壓(VF)：0.750至0.750伏特。
最大反向電流(IR)：0.5至0.5微安培。
電容(C)：25至25皮法拉(1MHz，12V)。
最大浪涌電流(IFSM)：150至500安培。
反向恢復(fù)時間(trr)：未提供具體數(shù)值。
