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Infineon英飛凌IRF3205PBF單N溝道功率MOSFET

2024-07-30 09:10:16

IRF3205PBF是一款N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝，耐壓55V，適用于直流電機、逆變器等應用。具有高電流能力（110A），低導通電阻（8 mΩ），工作溫度范圍廣（-55°C至175°C），符合JEDEC標準，易于替換。

Lattice LFE2M35E-7FN484C現場可編程門陣列FPGA

2024-07-30 09:07:20

Lattice LFE2M35E-7FN484C是一款90nm工藝的FPGA，具備303個I/O、34000個LUT和32個乘法器，適用于數據通信和工業自動化等高性能應用。

R5F12068MSP#30通用MCU微控制器Renesas

2024-07-29 09:33:40

R5F12068MSP#30是Renesas的RL78/G15系列低功耗微控制器，支持2.4至5.5V電壓，具備4至8KB閃存和1KB RAM，操作頻率達20MHz，適用于家電和便攜設備。

Holt HI-1565和HI-1566低功耗CMOS雙收發器

2024-07-29 09:29:45

Holt HI-1565 和 HI-1566 是低功耗 CMOS 雙收發器，符合 MIL-STD-1553/1760 規范，具有卓越的 ESD 性能和靈活的控制選項。適用于 MIL-STD-1553 接口、智能彈藥等應用。

MTI-milliren 221系列OCXO

2024-07-29 09:25:30

MTI-milliren 221系列OCXO是一款高性能表面貼裝振蕩器，專為低功耗和空間受限應用設計。尺寸緊湊，符合Stratum III和IIIe標準，熱穩定性高，相位噪聲性能優異，支持定制頻率、穩定性和溫度范圍，適用于多種通信和精密計時應用。

105883AK-1反激式變壓器VANGUARD ELECTRONICS

2024-07-26 09:15:31

105883AK-1反激式變壓器，由VANGUARD ELECTRONICS生產，適用于反激式轉換應用。特點包括：電感3.30uH±5%，漏感0.5uH，直流電阻6mOHMS，絕緣電壓1000VAC，尺寸0.8×0.65×0.5英寸，重量約10克，適用于商業級以上環境。

Solitron 2N4859/2N4860/2N4861 N溝道JFETS

2024-07-26 09:11:40

Solitron 2N4859、2N4860和2N4861是N溝道JFET，符合軍用標準，具有低導通電阻、快速開關和高隔離性能。支持耐輻射和多種溫度范圍。

ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器

2024-07-25 09:11:21

ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器，電壓3kV至250kV DC，電容最大2.000 μf，公差±10%，絕緣電阻25-50k ΩF，耗散因數<0.6%，多種外殼材料，操作溫度-55°C至125°C，符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202標準。

FMCE-0528 EMI濾波器Interpoint

2024-07-25 09:02:50

Interpoint的FMCE-0528 EMI濾波器專為28V應用設計，符合MIL-STD-461標準，適用于軍事和航空航天領域。它支持5A電流，500kHz時衰減60dB，工作溫度范圍-55°C至+125°C，并具有低直流電阻和小尺寸封裝特點。此外，它與Interpoint的多個DC/DC轉換器系列兼容，能有效減少輸入紋波電流。

Bliley BOVSP-XXXMXX-XXXX OCXO

2024-07-24 09:06:32

Bliley Technologies的BOVSP-XXXMXX-XXXX OCXO是一款高精度恒溫晶體振蕩器，適用于高穩定性和高精度應用。其頻率范圍為5.00至100 MHz，具有優異的頻率老化和相位噪聲性能。該產品支持寬工作溫度范圍（-40°C至+85°C），適用于高頻控制、微波應用和緊密時序控制等領域。

Linear Systems 3N163/3N164 P溝道MOSFET

2024-07-23 09:02:08

Linear Systems 3N163和3N164是高性能p溝道MOSFET，具有高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、快速切換和低電容特性，適用于電子電路。提供TO-72和SOT-143封裝。

QTCH500HCD9M-20.000MHz高溫晶振Q-Tech

2024-07-23 08:56:23

QTCH500HCD9M-20.000MHz高溫晶振由Q-Tech公司生產，是一款高精度石英晶體振蕩器，采用雙列直插(DIP)形式，封裝在DIP-8配置的金屬通孔封裝中。頻率范圍從1MHz到48MHz，供電電壓從1.8Vdc到5.0Vdc，該晶振適用于廣泛的軍用時鐘應用，包括智能彈藥、導航、工業控制、微控制器驅動程序以及井下溫度可達+200oC的環境。

VY1222M47Y5UQ6TV0陶瓷圓片電容器VISHAY

2024-07-22 10:22:18

VY1222M47Y5UQ6TV0是一款由VISHAY生產的高頻陶瓷圓片電容器，電容值0.0022uF，公差±20%，采用徑向端接，引線直徑0.6毫米，間距10毫米。設計由兩面鍍銀的陶瓷盤組成，連接引線為鍍錫銅包鋼，封裝為阻燃環氧樹脂，符合UL 94 V-o標準。符合IEC 60384-14標準，適用于X1和Y1類安全電容器，主要用于行對行濾波、線路對地濾波、主輔耦合、EMI/RFI抑制和濾波等。

Solitron SD11720 N溝道功率MOSFET

2024-07-22 10:19:25

SD11720是一款SiC N溝道功率MOSFET，由Solitron Devices, Inc.推出，專為高效率和可靠性的功率電子應用設計。采用先進的碳化硅技術，提供卓越的電氣和熱性能，適用于工業和能源應用。主要特點包括58A漏極電流、50mΩ導通狀態電阻和TO-247-3塑料封裝。優勢包括低導通電阻的高阻斷電壓、低電容的高速開關、高工作結溫能力（高達175°C）和較強的內置體二極管性能。應用領域包括太陽能逆變器、不間斷電源、電機驅動器、高電壓直流/直流轉換器和開關模式電源。SD11720的高性能和廣泛應用使其成為功率電子領域的關鍵組件，滿足現代系統對高效率和高可靠性的要求。

PmT-NSN-225-400MHz UHF放大器Princeton Microwave

2024-07-22 10:15:45

PmT-NSN-225-400MHz UHF放大器是一款高性能放大器，專為225-400MHz頻率范圍設計，適用于無線通信和雷達系統。主要特點包括低噪聲系數、密封模塊設計、寬帶性能、優異的單位可重復性和寬工作溫度范圍（-50°C到100°C）。典型電氣規格包括225-400 MHz頻率、+28.0V集電極供電、+5.1 V偏置供電、1.0Amp集電極供電電流、30-42 dB功率增益、<7dB增益變化、> +34 dBm 1 dB增益壓縮、>87 %上調制、<-80 dBc雜散、3:1 Max輸入VSWR、-25°C到70°C工作溫度和-55°C到125°C存儲溫度。應用領域包括無線通信系統、雷達系統、衛星通信、廣播電視等，其優異性能和可靠性使其成為這些應用中的理想選擇。

BLP05H6350XRG功率晶體管Ampleon

2024-07-22 09:59:15

Ampleon的BLP05H6350XRG是一款高性能LDMOS功率晶體管，專為HF至600 MHz頻段的廣播和工業應用設計，具有350瓦標稱輸出功率。特點包括輕松電源控制、集成ESD保護、出色堅固性、高效率（75%漏極效率）、優異熱穩定性、寬帶工作設計，并符合RoHS指令。應用領域包括工業、科學和醫療設備，以及廣播發射機。技術規格包括10600 MHz頻率范圍、350 W P1dB、脈沖射頻測試信號、26.5至27.5 dB功率增益、-10 dB輸入回波損耗和71至75%漏極效率。

RO4360電路板材料Rogers

2024-07-18 09:24:59

Rogers的RO4360?高頻層壓板專為高頻放大器設計，具有優異的6.15介電常數和0.003損耗因子，采用陶瓷填充和玻璃纖維增強，符合環保標準，兼容標準PCB加工，具有280oC高Tg和30 PPM/oC低CTE，確保多層電路可靠性。適用于高頻應用如功率放大器和貼片天線，支持無鉛工藝，為特定設計需求提供解決方案。

CY62128ELL-45SXIT SRAM芯片CYPRESS

2024-07-18 09:21:17

CY62128ELL-45SXIT 是 Cypress 公司生產的高性能 CMOS 靜態隨機存取存儲器(SRAM)芯片，具有45 ns訪問速度，工作溫度范圍為-40 °C 至 +85 °C（工業級）和-40 °C 至 +125 °C（汽車級E），電壓供應為4.5 V 至 5.5 V，與CY62128B系列芯片引腳兼容，低功耗（待機電流典型值1 μA，工作電流典型值1.3 mA），支持存儲擴展和自動斷電，采用CMOS工藝和環保封裝。該芯片組織為128K字×8位，適用于便攜式設備、工業控制系統、汽車電子和通信設備等應用。

PMTA-0223-30-2低噪聲放大器Princeton Microwave

2024-07-18 09:19:36

PMTA-0223-30-2是Princeton Microwave生產的低噪聲放大器，專為2 GHz至20 GHz的高頻應用設計。該放大器提供至少30 dB的增益，噪聲系數為2.5 dB，具有50Ohm輸入/輸出匹配，工作溫度范圍為-50°C至+100°C（具體操作溫度為-40°C至85°C）。電氣規格包括增益平坦度±1.25 dB、輸入/輸出回波損耗-10 dB、輸出功率至少16 dBm、操作直流電壓12 Volts、電流100 mA，配備SMA Female射頻接口和DC Connector直流接口。絕對最大額定值包括直流電壓20 Volts、射頻輸入功率5 dBm、存儲溫度-55°C至150°C。

Infineon英飛凌IPC100N04S5-1R2汽車級MOSFET

2024-07-17 08:55:42

IPC100N04S5-1R2是一款由英飛凌(Infineon)生產的N溝道增強型MOSFET，屬于OptiMOS? 5系列，專為汽車應用設計。該器件通過AEC-Q101認證，具有1.2 mΩ的低導通電阻和100 A的高連續漏極電流，適合高效率和高性能的汽車系統。產品參數包括40 V的漏源電壓、100 A的連續漏極電流、400 A的脈沖漏極電流、480 mJ的單次脈沖雪崩能量、±20 V的柵源電壓、150 W的功耗。