供應(yīng)Connor-Winfield溫度補(bǔ)償晶體振蕩器TCXO
發(fā)布時(shí)間:2023-12-20 16:04:44 瀏覽:2519
TCXO是溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(Temperature Compensated Crystal Oscillator)的簡(jiǎn)稱,它是一種用于精確時(shí)鐘信號(hào)和頻率穩(wěn)定性的電子元件。Connor-Winfield是一家美國(guó)公司,專門生產(chǎn)和提供各種類型的晶體振蕩器和時(shí)鐘產(chǎn)品。
溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)是為了解決普通晶體振蕩器在不同溫度下頻率漂移的問題而設(shè)計(jì)的。一般來說,普通的晶體振蕩器在溫度變化時(shí)會(huì)導(dǎo)致頻率的偏移,而TCXO通過使用溫度傳感器和相應(yīng)的補(bǔ)償電路來調(diào)整振蕩器的頻率,以實(shí)現(xiàn)溫度穩(wěn)定性。這樣就可以在不同的環(huán)境溫度下保持較為準(zhǔn)確和穩(wěn)定的振蕩頻率。
Connor-Winfield的TCXO產(chǎn)品具有高精度、低相噪聲、高穩(wěn)定性等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)、無線電設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。封裝類型具有Clipped Sine 和/或HCMOS輸出和商業(yè)到擴(kuò)展或 工業(yè)溫度范圍。
產(chǎn)品選型:
3.2x2.5mm 表面貼裝型
| 零件編號(hào) | 產(chǎn)品類型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
| C1x 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 3.2x2.5毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 2.5 Vdc | 10 MHz 至 40 MHz | -30 至 85°C | 不適用 | 低成本 |
| C3x 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 3.2x2.5毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz 至 40 MHz | -30 至 85°C | 不適用 | 低成本 |
| CAx 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 3.2x2.5毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 2.8 Vdc | 10 MHz 至 40 MHz | -30 至 85°C | 不適用 | 低成本 |
| D32G | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 3.2x2.5毫米 | +/-0.5ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 16.368MHz、19.2MHz、26MHz、32.736MHz | -30 至 85°C | 不適用 | 低成本 |
5x3.2mm 表面貼裝型
| 零件編號(hào) | 產(chǎn)品類型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
| D53G | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 20 兆赫、26 兆赫 | -30 至 85C | 不適用 | 不適用 |
| M100F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x3.2毫米 | +/-100ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 不適用 |
| M170F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x3.2毫米 | +/-100ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 不適用 |
| M200F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x3.2毫米 | +/-200ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 不適用 |
| M30x | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | 第 3 層 |
| M31x TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
| M32x TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
| M4 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 2.5 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -30 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
| M50 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 第 3 層 |
| M51 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
| M52 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
| M60 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 國(guó)際電聯(lián) |
| M61 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
| M62 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
| M632 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x3.2毫米 | +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 至 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 不適用 |
| M7 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -30 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
| M70 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 國(guó)際電聯(lián) |
| M71 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-0.5ppm | +/-4.6ppm | 不適用 | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
| M72 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x3.2毫米 | +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
5x7mm 表面貼裝型
| 零件編號(hào) | 產(chǎn)品類型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
| CSB1x系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.20ppm | 不適用 | +/-0.5ppm | 3.3 Vdc | 10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫 | -40 至 55C | 不適用 | Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007 |
| CSB21 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.20ppm | 不適用 | +/-0.5ppm | 3.3 Vdc | 10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫 | -20 至 55C | 不適用 | Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007 |
| CSB2x系列 | TCXO系列 | LVCMOS/Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.20ppm | 不適用 | +/-0.5ppm | 3.3 Vdc | 10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫 | -20 至 55C | 不適用 | Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007 |
| D75A | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10兆赫、12.8兆赫、19.2兆赫、20兆赫 | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| D75AS | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.25ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 20兆赫 | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| D75F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.5ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 13 兆赫、19.44 兆赫、25 兆赫、27 兆赫 | 0 至 70C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
| D75J | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-1.0ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 38.88兆赫,40兆赫,50兆赫 | 0 至 70C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
| DV75C | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 Mhz、12.8 MHz、20 MHz、25MHz 和 40MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| DV75D | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-1.0ppm | 不適用 | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 兆赫、12.8 兆赫、20 兆赫 | -40 至 85C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
| T100F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-100ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 小基站,G.8262 |
| T200F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-200ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 小基站,G.8262 |
| T200FA | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.20ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10.0兆赫 | -40 至 105C | 不適用 | 提高性能 |
| T3x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| T3x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| T5x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| T5x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| T602 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
| T602A | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10.0MHz 和 24.576MHz | -40 至 105C | 不適用 | 提高性能 |
| T6x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 54 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| T6x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 54 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| T7x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 54 MHz | -20 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| T7x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 54 MHz | -20 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| TA5 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm | +/-5.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
| TA6 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm | +/-5.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1 |
| TB602 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 Mhz 至 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| TCXO-EVAL-T BOARD | TCXO系列 | LVCMOS/HCMOS/正弦波 | SM 5x7mm | 不適用 | 不適用 | 不適用 | 3.3 或 5.0 Vdc | 5x7mm T 系列 TCXO 和 VCTCXO 評(píng)估板 | -40 至 85C | 不適用 | STRATUM 3E 層 |
| TV100F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-100ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588,小基站,G.8262 |
| TV200F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-200ppb | +/-3.0ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588,小基站,G.8262 |
| TV5x2 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| TV5x3 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 40 MHz | 0 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| TV6x2 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| TV6x3 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 40 MHz | -40 至 85C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| TV7x2 TCXO 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 Mhz 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
| TV7x3 TCXO 系列 | TCXO系列 | Clipped Sinewave | SM 5x7mm | +/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 40 MHz | -20 至 70C | 不適用 | IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV |
9x14mm 表面貼裝型
| 零件編號(hào) | 產(chǎn)品類型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
| DOT050F | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 9x14mm | +/-50ppb | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 精密 TCXO |
| TFxD5 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 9x14mm | +/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 100 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 固定頻率 |
| TFxD6 系列 | TCXO系列 | LVCMOS公司 | SM 9x14mm | +/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 MHz 至 100 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 固定頻率 |
14 針 DIP
| 零件編號(hào) | 產(chǎn)品類型 | 邏輯系列 | 封裝 | 頻率穩(wěn)定性 | 頻率容差 | 頻率校準(zhǔn) | 電源電壓 | 頻率范圍 | 溫度范圍 | 拉力范圍 | 關(guān)鍵詞 |
| TX14-xx03T | TCXO系列 | LVCMOS公司 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 1.0 至 100.0 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
| TX14-xx04T | TCXO系列 | Clipped Sinewave | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
| TX14-xx07T | TCXO系列 | 正弦波 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | 0 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
| TX14-xx13T | TCXO系列 | LVCMOS公司 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 1.0 至 100 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
| TX14-xx14T | TCXO系列 | Clipped Sinewave | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
| TX14-xx17T | TCXO系列 | 正弦波 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | -20 至 70C | 不適用 | 提高性能 |
| TX14-xx23T | TCXO系列 | LVCMOS公司 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 1.0 至 100 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 提高性能 |
| TX14-xx24T | TCXO系列 | Clipped Sinewave | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 提高性能 |
| TX14-xx27T | TCXO系列 | 正弦波 | 14 針 DIP | +/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm | +/-4.6ppm | +/-1.0ppm | 3.3 Vdc | 6.4 至 100 MHz | -40 至 85C | 不適用 | 提高性能 |
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MTI-MILLIREN 210系列OCXO適用于對(duì)性能要求高的場(chǎng)景,具備低功耗(25°C時(shí)連續(xù)功耗≤0.70W)、STRATUM III性能、低相位噪聲等特點(diǎn),應(yīng)用領(lǐng)域包括STRATUM III、電信、微波無線電等。
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