Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:1617
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應(yīng)用。

主要參數(shù)
漏源電壓(VDS):1200V
連續(xù)漏極電流(ID):25°C時(shí)為17A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):25°C時(shí)為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):34ns
反向恢復(fù)電荷(Qrr):197nC
應(yīng)用領(lǐng)域
開關(guān)電源
DC-DC轉(zhuǎn)換器
PFC電路
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
機(jī)器人控制
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iNRCORE單端口變壓器模塊100B-1001X符合IEEE 802.3標(biāo)準(zhǔn),經(jīng)過(guò)Ruggedized處理,絕緣耐壓值高達(dá)1500伏特,工作溫度范圍-40°C至+85°C,存儲(chǔ)溫度范圍-55°C至+125°C。采用Epoxy Encapsulated封裝,引腳采用Sn63Pb37鍍層,OCL為350微亨(μH),DC偏置為8毫安(mA)。詳細(xì)電氣規(guī)格數(shù)據(jù)和濕氣敏感性等級(jí)為3級(jí),具有一定的穩(wěn)定性。
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