Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET
發布時間:2025-05-29 09:00:32 瀏覽:1711
Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ,采用TO-257 3引腳封裝,低導通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG),具有雪崩能力,氣密封裝,適用于高可靠性應用。

主要參數
漏源電壓(VDS):1200V
連續漏極電流(ID):25°C時為17A
導通電阻(RDS(on)):25°C時為160mΩ
柵極閾值電壓(VGS(th)):1.8V~3.6V
最大功耗(PD):97W
工作溫度(TJ):-55°C~+175°C
體二極管特性
正向電壓(VSD):4.25V
反向恢復時間(trr):34ns
反向恢復電荷(Qrr):197nC
應用領域
開關電源
DC-DC轉換器
PFC電路
電機驅動
機器人控制
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推薦資訊
OH320-LA-61003CV VCOCXO,由Connor-Winfield生產,提供10.0 MHz和12.8 MHz頻率,3.3 Vdc電源,SM-FR4封裝,頻率穩定性±10 ppb,工作溫度-40至85℃,LVCMOS輸出,適用于高精度頻率控制應用,如通信、測量和導航。
MTI-milliren的205系列OCXO是目前業內最緊湊的恒溫晶體振蕩器,其密封封裝尺寸僅20.7×13.1×10.0mm,在-40°C至+85°C工作溫度范圍內提供±1.00E-06至±7.00E-06的熱穩定性,適用于移動無線電、PCS系統、智能電表及Stratum III.5等嚴苛應用場景。
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