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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續漏極電流達3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關延遲15-45ns，適用于高頻開關場景。該器件特別適合電源管理、電機驅動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統，兼具高效能和快速響應特性。

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  Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET 2024-06-18 09:12:31

  SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是Vishay生產的Si3495DV系列產品，采用TSOP-6封裝，8引腳，標識為Dgume Number 1 73350。規格包括2.5 V至5.5 V工作電壓，1000 V DC耐壓，200mA/100mΩ電流容量，2 MHz開關頻率，1.0 kΩ/1000 V DC絕緣電阻。具備滿足多種電路設計和應用需求的特性和優勢。